IRF6216TRPBF Spécifications techniques

IRF6216TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 8
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240m Ω @ 1.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1280pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 26 ns
Continuous Drain Current (ID) -2.2A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 150V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 1.75mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 240mOhm
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A Ta
Rise Time 15ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 33 ns
Threshold Voltage -5V
Drain to Source Breakdown Voltage -150V
Recovery Time 120 ns
Nominal Vgs 5 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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