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IRF640NLPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 18A |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 150W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150m Ω @ 11A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 5.5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 18A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 72A |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
Height | 15.01mm |
Width | 4.826mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 150mOhm |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Voltage - Rated DC | 200V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 150W |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A Tc |
Rise Time | 19ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 23 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 247 mJ |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF640NLPBF Documents
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