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IRF6613TRPBF Spécifications techniques
IRF6613TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 5 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
JESD-609 Code | e1 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.8W Ta 89W Tc |
Power Dissipation | 89W |
Turn On Delay Time | 18 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A Ta 150A Tc |
Rise Time | 47ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 27 ns |
Threshold Voltage | 2.25V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 40V |
Height | 508μm |
Width | 5.0546mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | DirectFET™ Isometric MT |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 3.4MOhm |
Additional Feature | LOW CONDUCTION LOSS |
Voltage - Rated DC | 40V |
Terminal Position | BOTTOM |
Current Rating | 23A |
JESD-30 Code | R-XBCC-N3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4m Ω @ 23A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5950pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 4.9 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 150mA |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 200 mJ |
Length | 6.35mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF6613TRPBF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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