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IRF6617TRPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 5 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Part Status | Active |
Max Operating Temperature | 150°C |
Voltage - Rated DC | 30V |
Current Rating | 14A |
Power Dissipation | 42W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A Ta 55A Tc |
Rise Time | 34ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 3.7 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 11A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Input Capacitance | 1.3nF |
Rds On Max | 8.1 mΩ |
Height | 620μm |
Width | 3.95mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | DirectFET™ Isometric ST |
Supplier Device Package | DIRECTFET™ ST |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Min Operating Temperature | -40°C |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 2.1W Ta 42W Tc |
Turn On Delay Time | 11 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 15A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 12 ns |
Threshold Voltage | 2.35V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Drain to Source Resistance | 6.2mOhm |
Nominal Vgs | 2.35 V |
Length | 3.95mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF6617TRPBF Documents
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