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IRF6644TRPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 10.3A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 89W Tc
Power Dissipation 89W
Turn On Delay Time 17 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13m Ω @ 10.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2210pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 16 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 228A
Nominal Vgs 4.8 V
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Position BOTTOM
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.3A Ta 60A Tc
Rise Time 26ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 34 ns
Threshold Voltage 4.8V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 86 mJ
Height 508μm
Width 5.0546mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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