IRF6646TR1PBF Spécifications techniques

IRF6646TR1PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MN
Supplier Device Package DIRECTFET™ MN
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 9.5MOhm
Min Operating Temperature -40°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 17 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2060pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 31 ns
Threshold Voltage 3V
Drain to Source Breakdown Voltage 80V
Input Capacitance 2.06nF
Drain to Source Resistance 7.6mOhm
Nominal Vgs 3 V
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2005
Part Status Obsolete
Termination SMD/SMT
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 80V
Current Rating 12A
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 89W Tc
Power Dissipation 89W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta 68A Tc
Rise Time 20ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 80V
Recovery Time 54 ns
Rds On Max 9.5 mΩ
Height 506μm
Width 5.05mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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