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IRF6646TRPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 12A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 89W Tc
Power Dissipation 89W
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta 68A Tc
Rise Time 20ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 31 ns
Threshold Voltage 4.9V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 68A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 96A
Height 506μm
Width 5.05mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Voltage - Rated DC 80V
Terminal Position BOTTOM
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5m Ω @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2060pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 12mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 80V
Avalanche Energy Rating (Eas) 230 mJ
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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