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IRF6711STRPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 5 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2009 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 4 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | BOTTOM |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.2W Ta 42W Tc |
Power Dissipation | 42W |
Turn On Delay Time | 7.7 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A Ta 84A Tc |
Rise Time | 13ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 7.1 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0038Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 62 mJ |
Length | 4.826mm |
Radiation Hardening | No |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | DirectFET™ Isometric SQ |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-XBCC-N4 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8m Ω @ 19A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1810pF @ 13V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 5.4 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 19A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 84A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 25V |
Height | 506μm |
Width | 3.95mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF6711STRPBF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRF6702M2DTR1PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2580 |
IRF6702M2DTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFETs Transistors Arrays | |
IRF6702M2DTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2556 |
IRF6702M2DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs Transistors Arrays | |
IRF6706S2TR1PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2663 |
IRF6706S2TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2540 |
IRF6708S2TR1PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2695 |
IRF6708S2TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2634 |
IRF6709S2TR | IR | Circuits intégrés spécialisés | 5187 |
IRF6709S2TR1PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 891 |
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