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IRF6713STRPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET-SQ

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric SQ
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-XBCC-N2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3m Ω @ 22A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2880pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 6 ns
Continuous Drain Current (ID) 22A
Drain-source On Resistance-Max 0.003Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 34 mJ
Length 4.826mm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Copper, Silver, Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.2W Ta 42W Tc
Power Dissipation 42W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A Ta 95A Tc
Rise Time 13ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 9.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Height 506μm
Width 3.95mm
RoHS Status RoHS Compliant
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