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IRF6722MTRPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7m Ω @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 6.1 ns
Continuous Drain Current (ID) 13A
Drain-source On Resistance-Max 0.0077Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 82 mJ
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MP
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.3W Ta 42W Tc
Power Dissipation 42W
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A Ta 56A Tc
Rise Time 7.8ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 9.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Height 506μm
Width 5.05mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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