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IRF6725MTRPBF Spécifications techniques

IRF6725MTRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 100W Tc
Power Dissipation 100W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A Ta 170A Tc
Rise Time 22ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 19 ns
Threshold Voltage 1.8V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 28A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 190 mJ
Height 506μm
Width 5.05mm
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2m Ω @ 28A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 170A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0022Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 220A
Nominal Vgs 1.8 V
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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