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IRF6726MTRPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 5 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
JESD-609 Code | e1 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | BOTTOM |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.8W Ta 89W Tc |
Power Dissipation | 89W |
Turn On Delay Time | 20 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A Ta 180A Tc |
Rise Time | 30ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 25 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0017Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 260 mJ |
Height | 506μm |
Width | 5.05mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | DirectFET™ Isometric MT |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-XBCC-N3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7m Ω @ 32A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6140pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 17 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 180A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 32A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Nominal Vgs | 1.7 V |
Length | 6.35mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF6726MTRPBF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRF6702M2DTR1PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2580 |
IRF6702M2DTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFETs Transistors Arrays | |
IRF6702M2DTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2556 |
IRF6702M2DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs Transistors Arrays | |
IRF6706S2TR1PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2663 |
IRF6706S2TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2540 |
IRF6708S2TR1PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2695 |
IRF6708S2TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2634 |
IRF6709S2TR | IR | Circuits intégrés spécialisés | 5187 |
IRF6709S2TR1PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 891 |
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