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IRF7204TR Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Cut Tape (CT)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60m Ω @ 5.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5.3A
DS Breakdown Voltage-Min 20V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.06Ohm
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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