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IRF7306TR Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Max Power Dissipation 2W
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 3.6A
Drain-source On Resistance-Max 0.1Ohm
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -3.6A
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100m Ω @ 1.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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