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IRF7316QTRPBF Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Packaging Cut Tape (CT)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 2W
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58m Ω @ 4.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Feature Logic Level Gate
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Published 2010
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory Other Transistors
Base Part Number IRF7316QPBF
Power Dissipation 2W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A
Rise Time 13ns
Fall Time (Typ) 32 ns
Continuous Drain Current (ID) -4.9A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
RoHS Status RoHS Compliant
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