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IRF7316TRPBF Spécifications techniques

IRF7316TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Max Power Dissipation 2W
Current Rating -4.9A
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58m Ω @ 4.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 34 ns
Threshold Voltage -1V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 140 mJ
Recovery Time 66 ns
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.75mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 58mOhm
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Form GULL WING
Base Part Number IRF7316PBF
Number of Channels 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A
Rise Time 13ns
Fall Time (Typ) 32 ns
Continuous Drain Current (ID) -4.9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Nominal Vgs -1 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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