IRF7341TRPBF Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 50mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Max Power Dissipation 2W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 2
Number of Channels 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Avalanche Energy Rating (Eas) 140 mJ
Recovery Time 90 ns
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.75mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 55V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 4.7A
Base Part Number IRF7341PBF
Row Spacing 6.3 mm
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50m Ω @ 4.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
Rise Time 3.2ns
Turn-Off Delay Time 32 ns
Threshold Voltage 1V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5.1A
Dual Supply Voltage 55V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Nominal Vgs 1 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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