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IRF7343QTRPBF Spécifications techniques
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Max Operating Temperature | 150°C |
Subcategory | Other Transistors |
Base Part Number | IRF7343QPBF |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N and P-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A 3.4A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Continuous Drain Current (ID) | 4.7A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Height | 1.4986mm |
Width | 3.9878mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Published | 2010 |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -55°C |
Max Power Dissipation | 2W |
Number of Elements | 2 |
Power Dissipation | 2W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50m Ω @ 4.7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
FET Feature | Standard |
Length | 4.9784mm |
Radiation Hardening | No |
IRF7343QTRPBF Documents
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IRF7301PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 5483 |
IRF7301PBF | Infineon Technologies | MOSFETs Transistors Arrays | |
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