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IRF7343TRPBF Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 50mOhm
Max Power Dissipation 2W
Terminal Form GULL WING
Base Part Number IRF7343PBF
Row Spacing 6.3 mm
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A 3.4A
Rise Time 10ns
Fall Time (Typ) 22 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Standard
Height 1.75mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Terminal Position DUAL
Current Rating 4.7A
Number of Elements 2
Number of Channels 2
Power Dissipation 2W
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50m Ω @ 4.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 43 ns
Threshold Voltage 1V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Nominal Vgs 1 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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