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IRF7379PBF Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Terminal Position DUAL
Current Rating 5.8A
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45m Ω @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 25 ns
Threshold Voltage 1V
Drain-source On Resistance-Max 0.045Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 46A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 1 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2.5W
Terminal Form GULL WING
Base Part Number IRF7379PBF
Row Spacing 6.3 mm
Power Dissipation 2.5W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A 4.3A
Rise Time 17ns
Fall Time (Typ) 18 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Dual Supply Voltage 30V
FET Feature Standard
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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