IRF7401TRPBF Spécifications techniques

IRF7401TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 22mOhm
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Position DUAL
Current Rating 8.7A
Row Spacing 6.3 mm
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22m Ω @ 4.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.7V 4.5V
Fall Time (Typ) 92 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 35A
Nominal Vgs 700 mV
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A Ta
Rise Time 72ns
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 65 ns
Threshold Voltage 700mV
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Dual Supply Voltage 20V
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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