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IRF7402TRPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1999
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 8
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Position DUAL
Current Rating 6.8A
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5.1 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A Ta
Rise Time 47ns
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature FAST SWITCHING
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35m Ω @ 4.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.7V 4.5V
Fall Time (Typ) 32 ns
Continuous Drain Current (ID) 6.8A
Drain-source On Resistance-Max 0.035Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 54A
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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