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IRF7410TRPBF Spécifications techniques

MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 7MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating -16A
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7m Ω @ 16A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8676pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 271 ns
Threshold Voltage -400mV
Drain to Source Breakdown Voltage -12V
Dual Supply Voltage -12V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 1.75mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Voltage - Rated DC -12V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Row Spacing 6.3 mm
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A Ta
Rise Time 12ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.8V 4.5V
Fall Time (Typ) 200 ns
Continuous Drain Current (ID) -16A
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 65A
Recovery Time 145 ns
Nominal Vgs -900 mV
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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