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IRF7455TRPBF Spécifications techniques

IRF7455TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 7.5mOhm
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Current Rating 15A
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3480pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 5V
Rise Time 18ns
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 51 ns
Threshold Voltage 2V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 200 mJ
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 1.75mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Ta
Breakdown Voltage 30V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.8V 10V
Fall Time (Typ) 44 ns
Continuous Drain Current (ID) 15A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Dual Supply Voltage 30V
Recovery Time 96 ns
Nominal Vgs 2 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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