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IRF7463PBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2004 |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 8 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8m Ω @ 14A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3150pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 2.7V 10V |
JEDEC-95 Code | MS-012AA |
Drain-source On Resistance-Max | 0.008Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 30V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A Ta |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Vgs (Max) | ±12V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 14A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 110A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 320 mJ |
IRF7463PBF Documents
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