IRF7468PBF Spécifications techniques

IRF7468PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 8
Resistance 15.5MOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 40V
Terminal Position DUAL
Current Rating 9.4A
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 7.6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A Ta
Rise Time 2.3ns
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Threshold Voltage 2V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5m Ω @ 9.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2460pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 3.8 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.4A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 75A
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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