IRF7480MTRPBF Spécifications techniques

IRF7480MTRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 10
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Part Status Active
Number of Terminations 6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 96W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 21 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 217A Tc
Rise Time 70ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 58 ns
Continuous Drain Current (ID) 217A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 868A
Avalanche Energy Rating (Eas) 206 mJ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric ME
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position BOTTOM
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XBCC-N6
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2m Ω @ 132A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6680pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 68 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
DS Breakdown Voltage-Min 40V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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