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IRF7509TR Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1998
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110m Ω @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max 0.11Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Feature Logic Level Gate
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number IRF7509
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 1.25W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A 2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.7A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 21A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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