IRF7530TR Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number IRF7530
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 1.3W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.03Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-PDSO-G8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30m Ω @ 5.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1310pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5.4A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
Avalanche Energy Rating (Eas) 33 mJ
FET Feature Standard
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