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IRF7752GTRPBF Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
Supplier Device Package 8-TSSOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Base Part Number IRF7752GPBF
Element Configuration Dual
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 861pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID) 4.6A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 30 mΩ
REACH SVHC Unknown
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 1W
Number of Elements 2
Power Dissipation 1W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Input Capacitance 861pF
Drain to Source Resistance 36mOhm
Nominal Vgs 2 V
RoHS Status RoHS Compliant
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