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IRF7752TRPBF Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
Supplier Device Package 8-TSSOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 1W
Number of Elements 2
Power Dissipation 1W
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 861pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Input Capacitance 861pF
Drain to Source Resistance 36mOhm
Nominal Vgs 2 V
Length 3.0988mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Part Status Obsolete
Resistance 30mOhm
Min Operating Temperature -55°C
Base Part Number IRF7752PBF
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 7.2 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A
Rise Time 9.1ns
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.6A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 30 mΩ
Height 1.0414mm
Width 4.4958mm
REACH SVHC Unknown
Lead Free Lead Free
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