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IRF7756 Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -12V
Current Rating -4.3A
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID) 4.3A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1W
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40m Ω @ 4.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Drain to Source Breakdown Voltage -12V
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Contains Lead
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