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IRF7769L2TRPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 11
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5m Ω @ 74A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11560pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 41 ns
Continuous Drain Current (ID) 20A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 395A
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 260 mJ
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 676μm
Width 7.112mm
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric L8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 9
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-XBCC-N9
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 3.3W Ta 125W Tc
Power Dissipation 3.3W
Turn On Delay Time 44 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 375A Tc
Rise Time 32ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 92 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0035Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 500A
Recovery Time 112 ns
Nominal Vgs 2.7 V
Length 9.144mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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