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IRF7779L2TRPBF
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IRF7779L2TRPBF Spécifications techniques
IRF7779L2TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 11 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2009 |
JESD-609 Code | e1 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | BOTTOM |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.3W Ta 125W Tc |
Power Dissipation | 125W |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 375A Tc |
Rise Time | 19ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 36 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 67A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 270A |
Height | 508μm |
Width | 7.1mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | DirectFET™ Isometric L8 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 9 |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-XBCC-N9 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11m Ω @ 40A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6660pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 12 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 11A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 150V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 270 mJ |
Length | 9.144mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF7779L2TRPBF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRF7700 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3897 |
IRF7700GTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2500 |
IRF7700TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2548 |
IRF7700TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 4000 |
IRF7701 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 24000 |
IRF7701GTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5000 |
IRF7701TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 8465 |
IRF7701TR MOS | IR | Circuits intégrés spécialisés | 2550 |
IRF7701TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 4303 |
IRF7701TRPBF. | IR | Circuits intégrés spécialisés | 8500 |
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IRF7779L2TRPBF fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, IRF7779L2TRPBF prix de référence. IRF7779L2TRPBF paramètres, IRF7779L2TRPBF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRF7779L2TRPBF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRF7779L2TRPBF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRF7779L2TRPBF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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