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IRF7807VTRPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 25MOhm
Voltage - Rated DC 30V
Current Rating 8.3A
Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V
Fall Time (Typ) 2.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.3A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
Part Status Not For New Designs
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Turn On Delay Time 6.3 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25m Ω @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A Ta
Rise Time 1.2ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRF7807VTRPBF fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, IRF7807VTRPBF prix de référence. IRF7807VTRPBF paramètres, IRF7807VTRPBF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRF7807VTRPBF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRF7807VTRPBF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRF7807VTRPBF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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