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IRF7831TRPBF Spécifications techniques

Single N-Channel 30 V 3.6 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 3.6MOhm
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Current Rating 21A
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A Ta
Rise Time 10ns
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 17 ns
Threshold Voltage 2.35V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Nominal Vgs 2.35 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6240pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5.3 ns
Continuous Drain Current (ID) 21A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Recovery Time 62 ns
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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