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IRF7834PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Discontinued
Number of Terminations 8
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5m Ω @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3710pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 19A
Drain-source On Resistance-Max 0.0045Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 25 mJ
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Current Rating 19A
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A Ta
Rise Time 14.3ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Nominal Vgs 2.25 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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