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IRF7853PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Part Status Discontinued
Termination SMD/SMT
Resistance 18MOhm
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18m Ω @ 8.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 6 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 100V
Nominal Vgs 4.9 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A Ta
Rise Time 6.6ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 26 ns
Threshold Voltage 4.9V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Recovery Time 68 ns
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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