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IRF7855PBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Resistance | 9.4MOhm |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 8.7 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4m Ω @ 12A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1560pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 12 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 12A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Recovery Time | 50 ns |
Length | 4.9784mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Part Status | Discontinued |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta |
Power Dissipation | 97mW |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A Ta |
Rise Time | 13ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 16 ns |
Threshold Voltage | 4.9V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Height | 1.4986mm |
Width | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRF7855PBF Documents
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Feuilles de données
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