IRF7855PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 9.4MOhm
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 8.7 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4m Ω @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 12A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Recovery Time 50 ns
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 97mW
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta
Rise Time 13ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Threshold Voltage 4.9V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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