IRF8113PBF Spécifications techniques

IRF8113PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6m Ω @ 17.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2910pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
JEDEC-95 Code MS-012AA
Drain-source On Resistance-Max 0.0056Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.2A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 17.2A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 135A
Avalanche Energy Rating (Eas) 48 mJ
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