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IRF8714GTRPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Configuration | Single |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7m Ω @ 14A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 14A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Length | 4.9784mm |
Radiation Hardening | No |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2009 |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta |
Power Dissipation | 2.5W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A Ta |
Rise Time | 9.9ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 11 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Height | 1.4986mm |
Width | 3.9878mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF8714GTRPBF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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IRF8707GPBF F8707G | IR | Circuits intégrés spécialisés | 547 |
IRF8707GTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 26153 |
IRF8707GTRPBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
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IRF8707GTRPBF MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 16214 |
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