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IRF9332TRPBF Spécifications techniques

MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 2.5W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5m Ω @ 9.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1270pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 73 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.8A Ta
Rise Time 47ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 58 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.8A
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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