IRF9362PBF Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Discontinued
Number of Terminations 8
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5.2 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Rise Time 5.9ns
Fall Time (Typ) 53 ns
Continuous Drain Current (ID) -8A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 94 mJ
Recovery Time 48 ns
Nominal Vgs -1.8 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2W
Base Part Number IRF9362PBF
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21m Ω @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 115 ns
Threshold Voltage -1.8V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 64A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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