IRF9393TRPBF Spécifications techniques

IRF9393TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.3m Ω @ 9.2A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 75A
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A Ta
Rise Time 44ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V 20V
Fall Time (Typ) 49 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.2A
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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