IRF9530NSTRLPBF Spécifications techniques

IRF9530NSTRLPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 200mOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.8W Ta 79W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200m Ω @ 8.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 46 ns
Continuous Drain Current (ID) -14A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 56A
Avalanche Energy Rating (Eas) 250 mJ
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 5.084mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1998
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC -100V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -14A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.8W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Tc
Rise Time 58ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 45 ns
Threshold Voltage -4V
Drain to Source Breakdown Voltage -100V
Dual Supply Voltage 100V
Recovery Time 190 ns
Nominal Vgs -4 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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