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IRF9952TRPBF Spécifications techniques

IRF9952TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 100mOhm
Max Power Dissipation 2W
Terminal Form GULL WING
Base Part Number IRF9952PBF
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100m Ω @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Continuous Drain Current (ID) 3.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 16A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 1 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Terminal Position DUAL
Current Rating 3.5A
Number of Elements 2
Power Dissipation 2W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A 2.3A
Rise Time 14ns
Turn-Off Delay Time 20 ns
Threshold Voltage 1V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 44 mJ
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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