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IRF9953TR Spécifications techniques
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1997 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | HIGH RELIABILITY |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250m Ω @ 1A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 2.3A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 10A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 57 mJ |
FET Feature | Logic Level Gate |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Power - Max | 2W |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.25Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 30V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
IRF9953TR Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRF9910 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2291 |
IRF9910 | Infineon Technologies | MOSFETs Transistors Arrays | |
IRF9910PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 33663 |
IRF9910PBF | Infineon Technologies | MOSFETs Transistors Arrays | |
IRF9910PBF | Rochester Electronics, LLC | MOSFETs Transistors Arrays | |
IRF9910PBF MOS | IR | Circuits intégrés spécialisés | 14232 |
IRF9910TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2724 |
IRF9910TR | Infineon Technologies | MOSFETs Transistors Arrays | |
IRF9910TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 65472 |
IRF9910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs Transistors Arrays |
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