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IRF9953TRPBF Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Active
Number of Terminations 8
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation 2W
Current Rating -2.3A
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 10A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 250mOhm
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Form GULL WING
Base Part Number IRF9953PBF
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250m Ω @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Rise Time 14ns
Fall Time (Typ) 6.9 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.3A
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 57 mJ
FET Feature Standard
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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