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IRF9Z34NLPBF Spécifications techniques

MOSFET P-CH 55V 19A TO-262

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 30 ns
Threshold Voltage -4V
Drain-source On Resistance-Max 0.1Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 68A
Nominal Vgs -4 V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC -55V
Terminal Position SINGLE
Current Rating -19A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.8W Ta 68W Tc
Power Dissipation 68W
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A Tc
Rise Time 55ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 41 ns
Continuous Drain Current (ID) -19A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -55V
Avalanche Energy Rating (Eas) 180 mJ
Height 9.65mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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