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IRF9Z34NSPBF Spécifications techniques
IRF9Z34NSPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.8W Ta 68W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.1Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 55V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 1997 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100m Ω @ 10A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 19A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 68A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 180 mJ |
IRF9Z34NSPBF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRF9Z10 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3277 |
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IRF9Z10PBF | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 6246 |
IRF9Z10PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 6246 |
IRF9Z10PBF MOS | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 1635 |
IRF9Z14 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 25438 |
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IRF9Z34NSPBF fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, IRF9Z34NSPBF prix de référence. IRF9Z34NSPBF paramètres, IRF9Z34NSPBF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRF9Z34NSPBF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRF9Z34NSPBF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRF9Z34NSPBF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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